企业简介
上海合晶硅材料有限公司 main business:生产电子材料，销售自产产品，以及上述同类产品批发、进出口贸易（拍卖除外、涉及许可经营的凭许可证经营），道路普通货物运输。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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上海合晶硅材料有限公司的工商信息
- 310000400100497
- 91310000607286404W
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(中外合资)
- 1994年12月01日
- 刘苏生
- 52855.665400
- 1994年12月01日 至 永久
- 上海市工商行政管理局
- 1994年12月01日
- 上海市松江区贵南路500号
- 生产电子材料，销售自产产品，以及上述同类产品批发、进出口贸易（拍卖除外、涉及许可经营的凭许可证经营），道路普通货物运输。 【依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海合晶硅材料有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 上海合晶硅材料有限公司 | www.waferworks.com.cn |
上海合晶硅材料有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 4483613 |  |
WAFER WORKS | 2005-01-26 | 晶片(锗片);单晶硅;硅外延片;多晶硅;印刷电路;集成电路;集成电路块;半导体器件; | 查看详情 |
上海合晶硅材料有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106601594A | 硅片表面长多晶的方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种硅片表面长多晶的方法，其包括如下步骤：a)、将硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个 |
| 2 | CN106283177A | 阻流环、改善单晶硅径向电阻率均匀性的组件及方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种阻流环，其包括阻流壁，所述阻流壁为筒状，还包括承载部和悬挂部，所述阻流壁通过所述悬挂 |
| 3 | CN105316760A | 硅片背面长多晶方法 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种硅片背面长多晶方法，其特征在于，多片所述硅片放置于晶舟上，所述晶舟上设置有多个容置槽 |
| 4 | CN105313000A | 晶片抛光方法 | 2016.02.10 | 本发明公开了一种晶片抛光方法，其特征在于，在抛光过程中首先使用粗抛浆，在抛光过程最后5分钟内使用精抛 |
| 5 | CN105291286A | 晶棒切割方法 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种晶棒切割方法，其特征在于，晶棒放置于料板上切割；所述晶棒长度为料板长度的70-80％ |
| 6 | CN105297017A | 研磨片酸腐蚀方法 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种研磨片酸腐蚀方法，其特征在于，使用混合酸溶液腐蚀研磨片，混合酸溶液按体积百分比包括： |
| 7 | CN105304464A | 研磨片碱腐蚀前清洗工艺 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种研磨片碱腐蚀前清洗工艺，其特征在于，包括如下步骤：A、用水清除研磨后的晶片表面的化学 |
| 8 | CN105304482A | 硅片腐蚀方法 | 2016.02.03 | 本发明公开了一种硅片腐蚀方法，其特征在于，硅片表面设置有一层二氧化硅层；首先在所述二氧化硅层表面贴附 |
| 9 | CN104746133A | 单晶炉热场 | 2015.07.01 | 本发明公开了一种单晶炉热场，包括支撑筒，所述支撑筒内设置有加热器、电极及坩埚，所述加热器围绕坩埚设置 |
| 10 | CN104742003A | 硅单晶片抛光方法 | 2015.07.01 | 本发明公开了一种硅单晶片抛光方法，其特征在于，抛光过程中，使用水冷却硅单晶片，水的温度为20℃-30 |
| 11 | CN104741975A | 硅片研磨方法 | 2015.07.01 | 本发明公开了一种硅片研磨方法，其特征在于，采用PWA9研磨砂浆液研磨；在多级压力下分别研磨，第一级压 |
| 12 | CN104746138A | 重掺硼硅单晶棒的拉制方法 | 2015.07.01 | 本发明公开了一种重掺硼硅单晶棒的拉制方法，其特征在于，使用封闭热场拉制硅单晶棒，封闭热场内设置有石英 |
| 13 | CN204125562U | 拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场 | 2015.01.28 | 本实用新型公开了一种拉制轻掺硼单晶晶棒的封闭式热场，其特征在于，包括筒体；所述筒体具有筒腔；所述筒体 |
| 14 | CN204123542U | 晶棒线切割机 | 2015.01.28 | 本实用新型公开了一种晶棒线切割机，其特征在于，包括供线仓、切割仓和绕线仓；切割线存储于所述供线仓内， |
| 15 | CN203700579U | 单晶炉热场 | 2014.07.09 | 本实用新型公开了一种单晶炉热场，包括支撑筒，所述支撑筒内设置有加热器、电极及坩埚，所述加热器围绕坩埚 |
| 16 | CN203690273U | 用于倒角机的晶圆吸附装置及包含其的倒角机 | 2014.07.02 | 本实用新型提供一种用于倒角机的晶圆吸附装置及包含其的倒角机，其包括有一硬质的吸盘，所述用于倒角机的晶 |
| 17 | CN203665284U | 晶圆抛光装置 | 2014.06.25 | 本实用新型提供一种晶圆抛光装置，其包括有至少一圆盘形的抛头、至少一导轮、一中心轮、至少一陶瓷盘和一磨 |
| 18 | CN203668558U | 单晶炉加料器及包括其的单晶炉 | 2014.06.25 | 本实用新型公开了一种单晶炉加料器及包括其的单晶炉。单晶炉加料器包括一料筒、一固设在料筒中部的支撑套管 |
| 19 | CN102343563B | 硅片抛光大盘 | 2014.03.19 | 本发明公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口；液体 |
| 20 | CN102345165B | 降低多晶硅片翘曲度的装置 | 2014.03.19 | 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥 |
| 21 | CN103510154A | 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 | 2014.01.15 | 本发明公开了一种新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。本发明中的新 |
| 22 | CN102345171B | 用于硅片碱腐蚀加工的夹具 | 2013.12.04 | 本发明公开了一种用于硅片碱腐蚀加工的夹具，包括支撑框，支撑框设置有放置片架的通孔；支撑框上安装有提架 |
| 23 | CN102347233B | 提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法及托盘 | 2013.11.06 | 本发明公开了一种提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法，其特征在于，将硅片放置于托盘上沉积二氧化硅；所述 |
| 24 | CN202964347U | 用于加工单晶棒主参考标记的加工装置 | 2013.06.05 | 本实用新型公开了一种用于加工单晶棒主参考标记的加工装置，包括滚磨机，滚磨机设置有磨头，其特征在于，所 |
| 25 | CN202962167U | 硅单晶生长尾气排放用过滤筒 | 2013.06.05 | 本实用新型公开了一种硅单晶生长尾气排放用过滤筒，其特征在于，包括圆柱形筒体，所述筒体设置有内腔，所述 |
| 26 | CN103056742A | 单晶硅片倒角加工方法 | 2013.04.24 | 本发明公开了一种单晶硅片倒角加工方法，其特征在于，利用砂轮打磨硅片边缘，去除设定径向长度的硅片，使硅 |
| 27 | CN202755095U | 新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场 | 2013.02.27 | 本实用新型公开了一种新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导 |
| 28 | CN202208778U | 降低多晶硅片翘曲度的装置 | 2012.05.02 | 本实用新型公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管 |
| 29 | CN202208774U | 提高单晶硅晶棒中氧含量的装置 | 2012.05.02 | 本实用新型公开了一种提高单晶硅晶棒中氧含量的装置，其特征在于，包括石英坩埚和石英环，所述石英环设置于 |
| 30 | CN202202011U | 新型单晶炉热场 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了一种新型单晶炉热场，包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩 |
| 31 | CN202200192U | 硅片抛光大盘 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口； |
| 32 | CN202202021U | 用于硅片碱腐蚀加工的新型夹具 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了一种用于硅片碱腐蚀加工的新型夹具，包括支撑框，支撑框设置有放置片架的通孔；支撑框上安 |
| 33 | CN202205725U | 提高硅片背封时硅片厚度均匀性的托盘 | 2012.04.25 | 本实用新型公开了一种提高硅片背封时硅片厚度均匀性的托盘，其特征在于，包括托盘本体及限位挡条；所述托盘 |
| 34 | CN102343563A | 硅片抛光大盘 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种硅片抛光大盘，其特征在于，所述大盘表面设置有流通槽；所述大盘表面设置有液体出口；液体 |
| 35 | CN102345165A | 降低多晶硅片翘曲度的装置 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的装置，包括反应炉管，其特征在于，所述反应炉管底部设置有弥散管，弥 |
| 36 | CN102345158A | 改善COP的单晶晶棒拉制方法 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种改善COP的单晶晶棒拉制方法，于石英坩埚内熔融硅，利用籽晶拉制单晶晶棒，围绕石英坩埚 |
| 37 | CN102345166A | 降低多晶硅片翘曲度的方法 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种降低多晶硅片翘曲度的方法，其特征在于，向反应炉管内通入硅烷气体，在反应炉管内温度为6 |
| 38 | CN102345160A | 新型单晶炉热场 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种新型单晶炉热场，包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内 |
| 39 | CN102345154A | 提高单晶硅晶棒中氧含量的方法及装置 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种提高单晶硅晶棒中氧含量的方法，多晶硅熔融后拉制成晶棒，其特征在于，将多晶硅于石英坩埚 |
| 40 | CN102343562A | 延长抛光布垫使用寿命的方法 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种延长抛光布垫使用寿命的方法，其特征在于，在抛光布垫使用过程中，使用KOH水溶液清洗抛 |
| 41 | CN102345171A | 用于硅片碱腐蚀加工的新型夹具 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种用于硅片碱腐蚀加工的新型夹具，包括支撑框，支撑框设置有放置片架的通孔；支撑框上安装有 |
| 42 | CN102345155A | 超重掺As的晶棒拉制方法 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种超重掺As的晶棒拉制方法，其特征在于，拉晶时，保持炉筒内压力为55～80Torr。本 |
| 43 | CN102343538A | 硅片边缘倒角方法 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种硅片边缘倒角方法，使用倒角砂轮磨削硅片边缘进行倒角，其特征在于，采用4圈倒角的方法， |
| 44 | CN102347233A | 提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法及托盘 | 2012.02.08 | 本发明公开了一种提高硅片背封时硅片厚度均匀性的方法，其特征在于，将硅片放置于托盘上沉积二氧化硅；所述 |
| 45 | CN101431021B | 一种薄型硅单晶抛光片加工方法 | 2010.09.08 | 本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开 |
| 46 | CN201419358Y | 用于过滤开槽双面研磨机浆料的装置 | 2010.03.10 | 本实用新型公开了一种用于开槽双面研磨机浆料终端过滤，去除研磨浆料中大颗粒杂质的过滤装置。该用于过滤开 |
| 47 | CN201419354Y | 一种用于加工薄型硅单晶片的行星片 | 2010.03.10 | 本实用新型揭示了一种用于加工薄型硅单晶片的行星片，其厚度小于400μm，包括：自行星片中心向边缘顺次 |
| 48 | CN201405264Y | 用于清理开槽磨片机上沟槽的装置 | 2010.02.17 | 本实用新型涉及用于清理开槽磨片机上沟槽的装置，该装置包括支架，安装于支架一端的手柄以及卡持于支架另一 |
| 49 | CN101431021A | 一种薄型硅单晶抛光片加工方法 | 2009.05.13 | 本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开 |
| 50 | CN1332072C | 直拉硅单晶中低氧控制方法 | 2007.08.15 | 本发明提供一种直拉硅单晶中低氧控制方法，其特点是：起始磁场强度为300-2500GS，末端磁场强度为 |
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